电致变色技术
电子材料技术
 
目前位置:首页 科技信息   电子材料技术
 
正性光刻胶与负性光刻胶


        光刻胶(photoresist),亦称为光阻或光阻剂,是指通过紫外光、深紫外光、电子束、离子束、X射线等光照或辐射,其溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料,是光刻工艺中的关键材料,主要应用于集成电路和半导体分立器件的细微图形加工。

        光刻胶根据在显影过程中曝光区域的去除或保留可分为两种-正性光刻胶(positive photoresist)和负性光刻胶(negative photoresist)。

        正性光刻胶之曝光部分发生光化学反应会溶于显影液,而未曝光部份不溶于显影液,仍然保留在衬底上,将与掩膜上相同的图形复制到衬底上。
                        

                                          正性光刻胶曝光显影前后胶层的变化

        负性光刻胶之曝光部分因交联固化而不溶于显影液,而未曝光部分溶于显影液,将与掩膜上相反的图形复制到衬底上。
                       
                                          负性光刻胶曝光显影前后胶层的变化


更新时间:2013-11-18 21:00:09
 
Copyright@2010-2018  珠海凯为光电科技有限公司   粤ICP备10077888号-1   All Rights Reserved   http://www.zh-kv.com
地址:珠海市吉大园林路110号6楼    电话:+86 (0)756 3966815    传真:+86 (0)756 6210385    E-mail:info@zh-kv.com