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方阻与电阻率、电导率的关系

通常,考察导电膜层导电性能采用的指标是方块电阻,用R(或Rs)表示。R与导电膜层的电阻率及膜层的厚度有关。下图中,d为膜厚

 
 
方形导电膜层的电阻为:R = ρ L1/(dL2)
式中,ρ为导电膜的电阻率。对于制定的膜层,ρd可以认为是不变的定值,当L1 = L2时,即为正方形的膜层,无论方块大小如何,其电阻均为定值R = ρ/d,这就是方块电阻的定义。即
R =
ρ/d
式中,R单位为:欧姆/□、Ω/□、ohm/sq。

例如,当ITO层电阻率 ρ = 5×10-4 Ω•cm,ITO层厚度为500 Å,则方块电阻为:

R = ρ/d = 5×10-4 Ω•cm / 500×10-8 cm = 100 Ω/□

目前,ITO膜层的电阻率一般在5×10-4 Ω•cm左右,最好的可达到5×10-5 Ω•cm,已经接近金属的电阻率。

电阻率的倒数为电导率,σ=1/ρ,在国际单位制中,电导率的单位是西门子/米。电导率越大则导电性能越强,反之越小。


更新时间:2013-5-27 12:25:38
 
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